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电子元器件详细资料 » IC[18581] » FQD3N30TM
型号:FQD3N30TM类别:FET - 单制造商:Fairchild Semiconductor
封装:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63描述:MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 300V 2.4A DPAK
系列QFET™
制造商Fairchild Semiconductor
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)300V
电流_连续漏极(Id)0a025000C2.4A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.2 欧姆 @ 1.2A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2225V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs7nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds230pF @ 25V
功率_最大2.5W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装D-Pak
包装带卷 (TR)

供应商

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现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳勤思达科技有限公司吴086-0755-83268779
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FQD3N30TM相关型号

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